细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
多晶硅与石墨连接处怎样处理清除
一种多晶硅清洗装置和方法与流程
2020年10月28日 专利cna公开了一种硅多晶原料的清洗方法，包括将硅多晶原料投入乙醇溶液进行预浸泡，预浸泡后将硅多晶原料进行去离子水漂洗，漂洗后的硅多晶原料置于hno3+hf的混合酸液中进行腐蚀，混合酸腐蚀后的 在清洗过程中，将被清洗设备或管件浸入化学清洗溶液中，借助清洗液的溶解剥离作用，使清洗液与被清洗件表面上的油脂进行充分的接触，达到脱脂的目的，通过酸与锈的反应达到除锈的目 浅谈多晶硅项目设备管道的清洗方法百度文库2022年7月13日 技术实现要素： 4为了弥补以上不足，本技术提供了多晶硅还原炉用硅芯棒与石墨夹头的连接装置，旨在改善上述背景技术中提到的问题。5本技术实施例提供了一种多晶硅还原炉用硅芯棒与石墨夹头的连接装置包括石墨夹 多晶硅还原炉用硅芯棒与石墨夹头的连接装置的制作 2011年8月11日 该方法的特点是：利用喷砂装置射出的高速磨料直接作用于碳头料石墨部位将石墨与高纯多晶硅碳头料剥离；采用磨料硬度与多晶硅硬度相当，并选择合适的磨料粒度将处理 一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法 Google Patents2008年6月25日 本发明提供了一种多晶硅装置的清洗方法，该方法包括：(a)用脱脂剂对装置进行脱脂清洗；(b)用无油干燥空气对清洗后的装置进行干燥。 所用无油干燥空气露点≤40℃，油 CNB 一种多晶硅装置的清洗方法 Google Patents2018年10月19日 一种多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其包括至少两个石墨卡瓣，所述石墨卡瓣具备有夹持部以及倾斜连接部，所述夹持部相对设置形成用于夹持硅芯的夹持空间；石墨基座，所 一种多晶硅还原炉硅芯夹持装置及夹持方法与流程
多晶硅生产中常见阀门泄漏原因分析及应对措施浅谈百度文库
如选用耐磨球阀，阀座要采用自清理结构，在开关中，自动清除球体表面粘附的硅粉；同时增设吹扫孔，在开关时吹扫球体表面，将粘附硅粉吹扫掉，以保护密封副。 对于阀座后部的弹簧部 2009年2月20日 我总结了下原因可能是平时换石墨管时没把石墨锥里的碳粉清理干净，它随着气流堆积在石墨锥的左右两端，长期下来造成的气路的密闭性变差，左右两边的气流量不匹配， 【原创】石墨管损耗太快,可能是由于石墨锥连接处不密封造成 处理方法：关闭通气阀，佩戴好防毒面具，卸开铁件与石墨导氯管的连接处，用一根稍长些的钢筋棍快速的进行疏通，并用氮气对通气孔进行吹洗，孔内有光柱射出；说明导管已经畅通。石墨制品化学法提纯问题解析百度文库2012年1月18日 本发明涉及多晶硅的生产技术领域，具体是一种用来处理多晶硅碳头料使其中的石墨(石墨纸)与高纯多晶硅分离的物理分离方法。 背景技术 ： 随着以太阳能为代表的新能源 一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法 X技术网2021年3月28日 摘要：单晶炉是一种在以高纯氩气为主的惰性气体环境中，用石墨热场加热，将多晶硅材料加以熔化，用直拉法生长 单晶硅的设备，在太阳能单晶硅拉制的过程中，如何提高拉晶的速度和质量以及降低设备的能耗一直是单晶硅厂家 永恒的追求。直拉法单晶炉随动式加热器设计 Researching由于油脂和水对多晶硅产品质量影响很大，所以多晶硅设备管道清洗工艺中最关键的工序是脱脂和干燥。 只有根据实际的设备管道污染情况，按照设计要求、国家、行业法规、规范要求选择最佳的清洗工艺方法，才能保证设备管道的清洗质量，从而保证多晶硅产品质量和生产的顺利进行。浅谈多晶硅项目设备管道的清洗方法百度文库
半导体工艺设备之单晶炉 电子工程专辑 EE Times
2023年5月16日 所有腔体都经过缺陷炉室检查和探伤检验，并且经过06MPa水压试验和氦质谱检漏仪检漏。 一、主炉体构造 1、基座与炉底板 炉底板设计成平板式，具有双层结构，通水冷却。四只电极穿过底板，在坩埚提升机构的波纹管 2019年9月6日 在太阳能、半导体行业中，大量使用等静压石墨，制作单晶直拉炉热场石墨部件，多晶硅熔铸炉用加热器，化合物半导体制造用加热器、坩埚等部件。近年来，太阳能光伏发电发展迅猛，光伏产业中的单晶硅和多晶硅生产对石墨需求量巨大。收藏！史上最全的碳材料讲解！木炭2020年1月3日 [简介]：本技术属于多晶硅的生产设备技术领域，涉及多晶硅还原炉尾气防护罩、多晶硅还原炉及多晶硅生产系统。本技术的多晶硅还原炉尾气防护罩，包括圆柱形侧壁，所述圆柱形侧壁的顶端连接封闭的顶盖，所述圆柱形侧壁的低端连接尾气出气口；所述圆柱形侧壁上开设有多个周向均布的排气通 多晶硅还原炉生产工艺制造方法2024年7月19日 经查，换热器石墨出口和HCl气体管道之间存在径向错位(如图2)，这种错位可能会施加外部载荷，从而导致出口处产生应力。通常可通过膨胀节减少该应力，但是如果在法兰连接处施加足够的扭矩，错位的应力有可能会成为导致换热器石墨出口破裂的驱动力。美国一起交叉作业事故带来的启示 应急安全网2022年5月7日 在这个教程示例中，构建了三维和二维模型并比较了二者的结果。 三维模型设置 使用半导体 接口可以直接设置三维模型，在接触窗口处的 金属接触 边界条件启用接触电阻 选项。 接触窗口的 接触电阻 选项被激活。 对于左侧终端的边界条件的设置，不使用输入电流，而是施加一个小电压 V0，以便 使用基准模型提取比接触电阻率 COMSOL 博客2023年12月15日 本期继续推出系列内容，介绍半导体产业链中的技术、代表性企业、发展趋势和热点，并继续探索半导体产业中的知识产权和科创板问题。直拉单晶炉 是一种重要的生产设备，用于生产高纯度单晶材料。 它具有高纯度、高生产率稳定性强和自动化程度高等特点，并在半导体制造、光学器件制造和 行业观察 揭开半导体制造中“单晶炉设备”的神秘面纱 知乎
半导体工艺设备之单晶炉工艺流程 制造/封装 电子发烧友网
2023年5月16日 半导体工艺设备为半导体大规模制造提供制造基础。摩尔定律，给电子业描绘的前景，必将是未来半导体器件的集成化、微型化程度更高，功能更强大。 这里先介绍半导体工艺的头道工序——单晶体拉胚的单晶炉。 单晶炉 单晶炉，全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境 2020年10月28日 本发明涉及多晶硅制备技术领域，特别的涉及多晶硅后处理领域。背景技术目前太阳能光伏材料主要是多晶硅，多晶硅成为太阳能光伏的基础原料，多晶硅主要生产工艺为改良西门子法和流化床法，其中改良西门子法大约 一种多晶硅清洗装置和方法与流程氢气具有着火能量 低，与空气、氧混合燃烧和爆炸极限宽，燃烧速度快等特点，所以在生产和使用过程中的燃烧、爆炸问题 应特别注意。氢与空气或与氧混合形成处于爆炸极限范围内的可燃性混合物和着火源同时存在，是燃烧和 爆炸的两个基本条件。氢气管道规范 百度文库2004年9月26日 石墨垫的作用 色谱柱与色谱系统的连接处靠密封垫密封．理想的密封垫 提供无泄漏的密封效果，适合各种外径的色谱柱，不用过 分拧紧，与色谱柱或接头不粘连，且耐温度变化。为什么要更换石墨垫 石墨垫损坏会造成：水，空气渗入系统，破坏色谱柱，Agilent Technologies 6890/597X GCMSD 日常维护，故障 2021年11月20日 JZ460、660型铸锭炉操作与使用手册2021222的参照pdf,JZ460/660 多晶铸锭炉操作与使用手册 目 录 1 11 概述 JZ460/660 多晶铸锭炉 主要用于太阳能级多晶硅硅锭的铸锭生产， 它采用先进的多晶硅定 向凝固技术， 将硅料高温 熔化后通过特殊工艺 JZ460、660型铸锭炉操作与使用手册2021222的参照pdf 2018年2月12日 第章多晶硅材料的制(删除部分企业资料)教学教材ppt,三氯氢硅CVD还原 CVD还原工艺 经提出的HSiCl3和H2按一定比例混合，进入还原炉，1080℃1100℃温度下，HSiCl3被H还原，生产的硅粉，沉积在发热体硅芯上，使硅芯不断变大增重。主要反应 第章多晶硅材料的制(删除部分企业资料)教学教材ppt 原创
浅谈半导体工艺的头道工序——单晶体拉胚的单晶炉 电子
2020年8月25日 单晶炉，全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅 氩气系统在不锈钢管、电磁截止阀和质量流量控制器的连接处采用金属卡套密封，柔性不锈钢波纹管间采用快卸法兰式氟橡胶O型 密封圈 2020年7月8日 芯片材料“硅”解析硅材料根据晶胞的排列方式不同，分为单晶硅和多晶硅。单晶硅和多晶硅最大的区别是单晶硅的晶胞排是有序的，而多晶硅是无序的。在制造方法方面，多晶硅一般是直接把硅料倒入坩埚中融化，然后再冷却而成。单晶硅是通过拉单晶的方式形成晶棒（直拉 芯片材料“硅”解析 半导体新闻 电子发烧友网2011年8月11日 一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法，本发明涉及多晶硅的生产中多晶硅碳头料石墨部分与高纯硅的分离的物理方法。该方法包括多晶硅碳头料的破碎前处理、喷砂分离、分离后碳头料的DI水漂洗、DI水超声波清洗、化学清洗、清洗后碳头料的烘干以及检查包装七个步骤。一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法 Google Patents2024年11月12日 镁炭砖由镁砂和石墨组成，表现出了优良的抗渣、铁侵蚀性和渗透性，抗热震性。主要原因包括： 1 碳碳结合网络：镁炭砖基质中主要由石墨和镁砂粉组成，石墨和镁砂颗粒之间以及镁砂颗粒之间均被牢固的碳碳结合网络包围，不易产生滑移。2【钢铁冶金】一文读懂转炉炼钢的方方面面（耐火材料）技术 多晶硅生产中常见阀门泄漏原因分析及应对措施浅谈阀门外漏常见于阀体、阀杆和阀体连接处等密封部位。 21阀体外漏原因材料缺陷：阀门为多为铸件，形状复杂，壁厚变化大，传统的沙铸容易产生气孔、夹渣和砂眼等缺陷，从而产生泄漏现象，阀体质量是阀门质量的核心。多晶硅生产中常见阀门泄漏原因分析及应对措施浅谈百度文库2021年6月3日 硅材料根据晶胞的排列方式不同，分为单晶硅和多晶硅。单晶硅和多晶硅最大的区别是单晶硅的晶胞排是有序的，而多晶硅是无序的。在制造方法方面，多晶硅一般是直接把硅料倒入坩埚中融化，然后再冷却而成。单晶硅是通 半导体硅片发展历程、常见形态及SOI硅片的4种制备
电炉炼钢中关于石墨电极的常见问题总结
2018年9月27日 炼钢过程中怎样避免电极折断和脱扣？ 钢厂在使用石墨电极时，行车吊运过程中要注意什么？ 电极夹持器避免夹在电极连接处和电极接头孔处。 (7) 选用强度高加工精度优质的接头。 (8) 电极连接时施加的力矩要适当。2023年11月24日 多晶硅工艺装置核心位置和输送管道的球阀多以高温金属硬密封耐磨固定球阀为主。 3多晶硅管路固定球阀的选材及处理 综上所述多晶硅装置和管路的工况特殊，介质复杂，如氧气、氢气、氯化物、高硬度的三氯氢硅混合物粉尘颗粒、强腐蚀性的盐酸等。【学术前沿】多晶硅管路固定球阀的设计与优化兰州理工大学 2022年6月10日 在弯曲和扭转条件下，叠加表面处理形成的残余应力，使表面实际承受的应力降低，能有效提高弯曲和扭转条件下的抗疲劳强度。 ② 薄壳淬火 直径大且有截面变化的短轴类零件，如选用低淬透性钢，进行深层感应加热，零件表面可获得一定深度的高强度 马氏体组织 ，并产生残余压应力，大大提高 应力集中导致零件失效，哪些地方容易引起应力集中？如何 2018年10月19日 本发明涉及多晶硅生产设备领域，具体涉及一种多晶硅还原炉硅芯夹持装置及夹持方法。背景技术目前多晶硅还原炉内硅芯夹持装置大多采用石墨材质，因其良好的导电性能以及质地偏软，能够很好的解决细硅芯与电极的良好接触。然而，电极一般位于还原炉底部，裸露的石墨装置距离金属底盘很近 一种多晶硅还原炉硅芯夹持装置及夹持方法与流程2023年10月8日 为了保证石墨接地线与接地体的可靠连接，一般需要对接头进行特殊处理。例如在接头与石墨线缆连接处可采用机械连接或焊接方式连接；在连接处可采用铜鼻子或端子等过渡元件进行转换；在连接处还可增加弹簧片或螺丝等固定元件，以保证接头的牢固性和可靠石墨接地线的原理、作用以及使用方法2018年3月31日 一、准备安装所需工具： 清理和旋紧紧固件需要各种特定的工具，此外，必须永远使用标准的安装设备及遵守良好的安全操作方法。 安装前需准备好以下设备： 经过校准的扭力扳手、液压旋紧扳手，或其他旋紧工具；钢线刷，黄铜刷更好；头盔；护目眼睛； 润滑剂； 其他的工厂规定工具等 二 垫片的安装步骤、工具以及使用方法 脉脉
电炉炼钢中关于石墨电极的常见问题总结我的钢铁网 Mysteel
2021年2月5日 由于串接柱的电流密度相同，故电极电阻率差异很小; 其次内串石墨化产品两端的电阻率要略低于中部(艾奇逊炉石墨化产品是两端的电阻率高于中部) ，有利于降低用户使用时连接处电阻，缓解接头连接处的过热发红现象， 故串接式石墨化炉生产的电极质量均一性2020年8月17日 所有腔体都经过缺陷炉室检查和探伤检验，并且经过06MPa水压试验和氦质谱检漏仪检漏。 一、主炉体构造 1、基座与炉底板 炉底板设计成平板式，具有双层结构，通水冷却。四只电极穿过底板，在坩埚提升机构的波纹管连接处有一个水冷却法兰区。 2、主半导体工艺设备之单晶炉 电子工程专辑 EE Times China2017年6月19日 第8章 多晶硅的制(删除部分企业)ppt 123 页 内容提供方： 大小： 589 MB 字数： 约181万字 发布时间： 发布于湖北 浏览人气： 1 下载次数： 仅上传者可见 收藏次数： 0 需要金币 第8章 多晶硅的制(删除部分企业)ppt 123页 原创力文档2021年3月28日 摘要：单晶炉是一种在以高纯氩气为主的惰性气体环境中，用石墨热场加热，将多晶硅材料加以熔化，用直拉法生长 单晶硅的设备，在太阳能单晶硅拉制的过程中，如何提高拉晶的速度和质量以及降低设备的能耗一直是单晶硅厂家 永恒的追求。直拉法单晶炉随动式加热器设计 Researching由于油脂和水对多晶硅产品质量影响很大，所以多晶硅设备管道清洗工艺中最关键的工序是脱脂和干燥。 只有根据实际的设备管道污染情况，按照设计要求、国家、行业法规、规范要求选择最佳的清洗工艺方法，才能保证设备管道的清洗质量，从而保证多晶硅产品质量和生产的顺利进行。浅谈多晶硅项目设备管道的清洗方法百度文库2023年5月16日 所有腔体都经过缺陷炉室检查和探伤检验，并且经过06MPa水压试验和氦质谱检漏仪检漏。 一、主炉体构造 1、基座与炉底板 炉底板设计成平板式，具有双层结构，通水冷却。四只电极穿过底板，在坩埚提升机构的波纹管 半导体工艺设备之单晶炉 电子工程专辑 EE Times
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2019年9月6日 在太阳能、半导体行业中，大量使用等静压石墨，制作单晶直拉炉热场石墨部件，多晶硅熔铸炉用加热器，化合物半导体制造用加热器、坩埚等部件。近年来，太阳能光伏发电发展迅猛，光伏产业中的单晶硅和多晶硅生产对石墨需求量巨大。2020年1月3日 [简介]：本技术属于多晶硅的生产设备技术领域，涉及多晶硅还原炉尾气防护罩、多晶硅还原炉及多晶硅生产系统。本技术的多晶硅还原炉尾气防护罩，包括圆柱形侧壁，所述圆柱形侧壁的顶端连接封闭的顶盖，所述圆柱形侧壁的低端连接尾气出气口；所述圆柱形侧壁上开设有多个周向均布的排气通 多晶硅还原炉生产工艺制造方法2024年7月19日 经查，换热器石墨出口和HCl气体管道之间存在径向错位(如图2)，这种错位可能会施加外部载荷，从而导致出口处产生应力。通常可通过膨胀节减少该应力，但是如果在法兰连接处施加足够的扭矩，错位的应力有可能会成为导致换热器石墨出口破裂的驱动力。美国一起交叉作业事故带来的启示 应急安全网2022年5月7日 在这个教程示例中，构建了三维和二维模型并比较了二者的结果。 三维模型设置 使用半导体 接口可以直接设置三维模型，在接触窗口处的 金属接触 边界条件启用接触电阻 选项。 接触窗口的 接触电阻 选项被激活。 对于左侧终端的边界条件的设置，不使用输入电流，而是施加一个小电压 V0，以便 使用基准模型提取比接触电阻率 COMSOL 博客2023年12月15日 本期继续推出系列内容，介绍半导体产业链中的技术、代表性企业、发展趋势和热点，并继续探索半导体产业中的知识产权和科创板问题。直拉单晶炉 是一种重要的生产设备，用于生产高纯度单晶材料。 它具有高纯度、高生产率稳定性强和自动化程度高等特点，并在半导体制造、光学器件制造和 行业观察 揭开半导体制造中“单晶炉设备”的神秘面纱 知乎2023年5月16日 半导体工艺设备为半导体大规模制造提供制造基础。摩尔定律，给电子业描绘的前景，必将是未来半导体器件的集成化、微型化程度更高，功能更强大。 这里先介绍半导体工艺的头道工序——单晶体拉胚的单晶炉。 单晶炉 单晶炉，全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境 半导体工艺设备之单晶炉工艺流程 制造/封装 电子发烧友网
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